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Urquizo A.

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Coauthors

3

Documentos

Volumen de publicaciones por año

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Año de publicación	Num. Publicaciones
2014	1
2015	2

Publicaciones por áreas de conocimiento

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Área de conocimiento	Num. Publicaciones
Ingeniería electrónica	6
Ciencia de materiales	2

Publicaciones por áreas temáticas

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Área temática	Num. Publicaciones
Física aplicada	3

Principales fuentes de datos

Origen	Num. Publicaciones
Scopus	3
Google Scholar	0
RRAAE	0

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Coautores destacados por número de publicaciones

Coautor	Num. Publicaciones
Guillermo Rafael-Valdivia	3
Mendoza T.	3
Su Z.	2
Barbin S.	1

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Publicaciones del autor

Device level model for trapping effects in GaN and GaAs devices for broadband data communication

Conference Object

Abstract: In this work, we propose a new non-linear equivalent circuit which is able to model the low frequenc

Palabras claves:

Circuit modeling, FETs, memory effects, Microwave devices, pulsed measurements, Scattering parameters

Guillermo Rafael-Valdivia, Mendoza T., Su Z., Urquizo A.

Nonlinear device model for GaN and GaAs microwave transistors including memory effects

Conference Object

Abstract: In this paper, a new technique for modeling GaN and GaAs transistors is presented. The technique can

Palabras claves:

FET, GAAS, GaN, memory effects, Microwave devices, Modeling, pulsed measurements, Scattering parameters

Barbin S., Guillermo Rafael-Valdivia, Mendoza T., Urquizo A.

Modeling the frequency dispersion phenomena in GaN and GaAs devices for broadband data communication

Conference Object

Abstract: A novel technique for modeling GaN and GaAs transistors for data communications is proposed. The tec

Palabras claves:

Circuit modeling, FETs, memory effects, Microwave devices, pulsed measurements, Scattering parameters

Guillermo Rafael-Valdivia, Mendoza T., Su Z., Urquizo A.