Crupi F.
420
Coauthors
80
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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Año de publicación | Num. Publicaciones |
---|---|
2007 | 1 |
2013 | 3 |
2014 | 3 |
2015 | 7 |
2016 | 6 |
2017 | 16 |
2018 | 7 |
2019 | 11 |
2020 | 6 |
2021 | 11 |
2022 | 7 |
2023 | 2 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
---|---|
Ingeniería electrónica | 80 |
Energía | 25 |
Ciencia de materiales | 21 |
Simulación por computadora | 20 |
Fotovoltaica | 10 |
Semiconductor | 6 |
Celda solar | 5 |
Campo magnético | 4 |
Ciencias de la computación | 4 |
Red neuronal artificial | 3 |
Publicaciones por áreas temáticas
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Área temática | Num. Publicaciones |
---|---|
Física aplicada | 68 |
Ciencias de la computación | 17 |
Ingeniería y operaciones afines | 5 |
Instrumentos de precisión y otros dispositivos | 5 |
Electricidad y electrónica | 4 |
Otras ramas de la ingeniería | 3 |
Magnetismo | 2 |
Teología social y relaciones interreligiosas | 2 |
Dibujo técnico, materiales peligrosos | 1 |
Programación informática, programas, datos, seguridad | 1 |
Principales fuentes de datos
Origen | Num. Publicaciones |
---|---|
Scopus | 80 |
Google Scholar | 14 |
RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
Coautor | Num. Publicaciones |
---|---|
Marco Lanuzza | 58 |
Rose R.D. | 41 |
Trojman L. | 21 |
Strangio S. | 11 |
Esteban Garzón | 11 |
Carpentieri M. | 11 |
Finocchio G. | 10 |
Paul Procel | 10 |
Alioto M. | 9 |
Palestri P. | 8 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Temperature study of defect generation, under channel hot carrier stress for 35-nm gate length MOSFETs using the Defect-Centric perspective
Conference ObjectAbstract: In this work, we present an analysis to separate the interface states generation from the oxide trapPalabras claves:channel hot carrier degradation, defect centrict framework, interface states, Oxide trapsAutores:Crupi F., Luis Miguel Prócel Moya, Trojman L.Fuentes:googlescopusAn energy aware variation-tolerant writing termination control for STT-based non volatile flip-flops
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Conference ObjectAbstract: In this paper, we propose a sub-1-V nanopower current reference based on dual-threshold voltage currPalabras claves:CMOS analog design, Current reference, low-power design, low-voltage design, subthreshold operationAutores:Albano D., Crupi F., Marco Lanuzza, Rose R.D.Fuentes:scopus