Ballistic transport in Si, Ge, and GaAs nanowire MOSFETs
Abstract:
The influence of various channel materials and crystallographic orientations on the performance of nanowire MOSFETs operating in pure ballistic regime is investigated using 3D quantum-mechanical simulations. We consider three different materials (Si, Ge, GaAs) in nanowire transistors fabricated on a 〈010〉-wafer with an arbitrary channel orientation and provide a better understanding of the transport phenomena that may occur in each device configuration. © 2005 IEEE.
Año de publicación:
2005
Keywords:
Fuente:
scopusTipo de documento:
Conference Object
Estado:
Acceso restringido
Áreas de conocimiento:
- Ingeniería electrónica
- Ciencia de materiales
- Semiconductor
Áreas temáticas de Dewey:
- Física aplicada
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