Adriana Arevalo
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H-index Scopus
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2019 | 2 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 3 |
| Fabricación de dispositivos semiconductores | 1 |
| Arquitectura de computadoras | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 1 |
| Ciencias de la computación | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 1 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Liautard R. | 2 |
| Luis Miguel Prócel Moya | 2 |
| Trojman L. | 2 |
| Daniel Romero | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
TFET and FinFET Hybrid Technologies for SRAM Cell: Performance Improvement over a Large VDD-Range
Conference ObjectAbstract: This work proposes and compares Static Random-Access Memory (SRAM) cells using hybrid technology forPalabras claves:CMOS, DELAY, FinFET, hybrid, Power consumption, SRAM, Static Noise Margin, TFET, Write Noise MarginAutores:Adriana Arevalo, Liautard R., Luis Miguel Prócel Moya, Trojman L.Fuentes:googlescopusNew Insight for next Generation SRAM: Tunnel FET versus FinFET for Different Topologies
Conference ObjectAbstract: The purpose of this work is to point out the main differences between a Static Random-Access MemoryPalabras claves:FinFET, Low voltage, SRAM memory, stability analysis, Static Noise Margins, Tunnel-FETAutores:Adriana Arevalo, Daniel Romero, Liautard R., Luis Miguel Prócel Moya, Trojman L.Fuentes:scopus