Franco F.J.
68
Coauthors
8
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2014 | 1 |
| 2016 | 4 |
| 2017 | 2 |
| 2018 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 3 |
| Ciencias de la computación | 3 |
| Ciencia de materiales | 1 |
| Física de partículas | 1 |
| Simulación por computadora | 1 |
| Arquitectura de computadoras | 1 |
| Inferencia estadística | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 8 |
| Ciencias de la computación | 2 |
| Programación informática, programas, datos, seguridad | 2 |
| Instrumentos de precisión y otros dispositivos | 1 |
| Electricidad y electrónica | 1 |
| Comunicaciones | 1 |
| Principios generales de matemáticas | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 8 |
| Google Scholar | 1 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Francesca Villa | 8 |
| Clemente J.A. | 8 |
| Baylac M. | 8 |
| Velazco R. | 8 |
| Mecha H. | 7 |
| Hubert G. | 7 |
| Rey S. | 5 |
| Puchner H. | 5 |
| Agapito J.A. | 4 |
| Palomar C. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Evaluation of the sensitivity of a COTS 90-nm SRAM memory at low bias voltage
Conference ObjectAbstract: This paper presents an experimental study of the sensitivity to 14-MeV neutrons to low bias voltagePalabras claves:Cots, low-bias voltage, neutron tests, radiation hardness, reliability, Soft error, SRAMAutores:Baylac M., Clemente J.A., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Velazco R.Fuentes:scopusSensitivity Characterization of a COTS 90-nm SRAM at Ultralow Bias Voltage
ArticleAbstract: This paper presents the characterization of the sensitivity to 14-MeV neutrons of a commercial off-tPalabras claves:Cots, low-bias voltage, neutron tests, radiation hardness, reliability, Soft error, static random access memory (SRAM)Autores:Baylac M., Clemente J.A., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Puchner H., Velazco R.Fuentes:scopusEvidence of the robustness of a cots soft-error free SRAM to Neutron Radiation
ArticleAbstract: Radiation tests with 15-MeV neutrons were performed in a COTS SRAM including a new memory cell desigPalabras claves:Cots, LPSRAM, MUSCA SEP3, neutron tests, radiation hardness, reliability, Soft error, SRAMAutores:Baylac M., Clemente J.A., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mansour W., Palomar C., Rey S., Rosetto O., Velazco R.Fuentes:scopusSEU Characterization of Three Successive Generations of COTS SRAMs at Ultralow Bias Voltage to 14.2-MeV Neutrons
ArticleAbstract: This paper presents a single event upset (SEU) sensitivity characterization at ultralow bias voltagePalabras claves:Commercial off-the-shelf (COTS), low bias voltage, neutron tests, radiation hardness, reliability, Soft error, static random access memories (SRAM)Autores:Baylac M., Clemente J.A., Fraire J., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Puchner H., Rey S., Velazco R.Fuentes:scopusSome properties of only-SBUs scenarios in SRAMs applied to the detection of MCUs
Conference ObjectAbstract: Statistical properties of experiments in SRAMs with only SBUs are mathematically evaluated. StrategiPalabras claves:Multiple cell upsets, single bit upsets, single events, soft errors, SRAMsAutores:Agapito J.A., Baylac M., Clemente J.A., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Puchner H., Rey S., Velazco R.Fuentes:scopus