Puchner H.
43
Coauthors
5
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2016 | 2 |
| 2017 | 2 |
| 2018 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencias de la computación | 3 |
| Ingeniería electrónica | 1 |
| Simulación por computadora | 1 |
| Arquitectura de computadoras | 1 |
| Inferencia estadística | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 5 |
| Ciencias de la computación | 2 |
| Programación informática, programas, datos, seguridad | 2 |
| Comunicaciones | 1 |
| Principios generales de matemáticas | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 5 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Mecha H. | 5 |
| Hubert G. | 5 |
| Francesca Villa | 5 |
| Clemente J.A. | 5 |
| Franco F.J. | 5 |
| Baylac M. | 5 |
| Velazco R. | 5 |
| Rey S. | 4 |
| Agapito J.A. | 3 |
| Fraire J. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Sensitivity Characterization of a COTS 90-nm SRAM at Ultralow Bias Voltage
ArticleAbstract: This paper presents the characterization of the sensitivity to 14-MeV neutrons of a commercial off-tPalabras claves:Cots, low-bias voltage, neutron tests, radiation hardness, reliability, Soft error, static random access memory (SRAM)Autores:Baylac M., Clemente J.A., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Puchner H., Velazco R.Fuentes:scopusSEU Characterization of Three Successive Generations of COTS SRAMs at Ultralow Bias Voltage to 14.2-MeV Neutrons
ArticleAbstract: This paper presents a single event upset (SEU) sensitivity characterization at ultralow bias voltagePalabras claves:Commercial off-the-shelf (COTS), low bias voltage, neutron tests, radiation hardness, reliability, Soft error, static random access memories (SRAM)Autores:Baylac M., Clemente J.A., Fraire J., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Puchner H., Rey S., Velazco R.Fuentes:scopusSome properties of only-SBUs scenarios in SRAMs applied to the detection of MCUs
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ArticleAbstract: Recently, the occurrence of multiple events in static tests has been investigated by checking the stPalabras claves:Multiple cell upsets, neutron tests, Single Event Upsets, SRAMsAutores:Agapito J.A., Baylac M., Clemente J.A., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Puchner H., Rey S., Velazco R.Fuentes:scopusStatistical Deviations from the Theoretical Only-SBU Model to Estimate MCU Rates in SRAMs
ArticleAbstract: This paper addresses a well-known problem that occurs when memories are exposed to radiation: the dePalabras claves:Multiple cell upsets (MCUs), single bit upsets (SBUs), single events, soft errors, static random access memories (SRAMs)Autores:Agapito J.A., Baylac M., Clemente J.A., Francesca Villa, Franco F.J., Hubert G., Mecha H., Puchner H., Rey S., Velazco R.Fuentes:scopus